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    昨日（1月4日），三星電子公司擬在中國大陸投資建閃存芯片廠的計劃，正式獲得韓國知識經(jīng)濟部批準。

韓國知識經(jīng)濟部在聲明中稱，三星公司擬在中國建的閃存芯片工廠投產(chǎn)后，每月生產(chǎn)10萬塊晶圓片，聲明中沒有提及投資規(guī)模，也沒有透露擬建新工廠的具體選址。

三星中國相關(guān)負責人向 《每日經(jīng)濟新聞》記者表示，由于尚未收到總公司通告，因此暫時無法公布方案細節(jié)。

該計劃仍需獲得中國商務(wù)部門的審批，方能開工建設(shè)。

投資超過35億美元

2011年12月3日，三星電子曾發(fā)布公告稱，該公司計劃使用20納米級以下的技術(shù)，為三星產(chǎn)品生產(chǎn)Nand閃存芯片，并向增長迅速的中國手機制造商供貨，力爭在明年開工建設(shè)，并于2013年正式投產(chǎn)。禮品U盤定做

有分析師估計，在華設(shè)廠的總投資將介于35億美元至50億美元之間。目前，三星尚未透露該工廠的具體建設(shè)地點。一位不愿具名的業(yè)內(nèi)分析人士向《每日經(jīng)濟新聞》記者指出，目前最有可能成功中標的城市是北京和蘇州。

據(jù)了解，閃存芯片是一種移動存儲產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于音樂播放器、智能手機和平板電腦中。三星公司計劃在中國生產(chǎn)的Nand型閃存芯片，將主要用于固態(tài)硬盤和大容量數(shù)碼存儲卡。因擔心技術(shù)轉(zhuǎn)讓問題，該公司過去一直未在韓國和美國以外地區(qū)建立高科技的生產(chǎn)廠。事實上，為了防范技術(shù)機密泄露，韓國知識經(jīng)濟部要求三星公司加強對技術(shù)資料的控制。U盤定做

對國內(nèi)企業(yè)未必是好事

目前，中國生產(chǎn)全球96%的平板電腦和37%以上的智能手機，因此這些產(chǎn)品的核心零配件——內(nèi)存芯片的使用量也在年年劇增。

       由正益通電子禮品U盤廠家提供

        據(jù)市場調(diào)查公司Gartner的數(shù)據(jù)，今年全球閃存芯片市場有望突破290億美元，而今年中國的芯片使用量達到全球產(chǎn)量的30%，成為世界最大的芯片消費國，預(yù)計今年這一市場的規(guī)模將達290億美元。

iSuppli分析師顧文君向 《每日經(jīng)濟新聞》記者表示，三星將芯片廠址選在中國，主要基于以下三個原因：首先，中國是該類產(chǎn)品目前最大的消耗市場，發(fā)展前景廣闊；其次，閃存芯片是一種標準產(chǎn)品，選址靠近終端廠商將為生產(chǎn)提供便利；同時，此類產(chǎn)品的生產(chǎn)對基礎(chǔ)設(shè)施、政策和產(chǎn)業(yè)環(huán)境要求較高，在國內(nèi)設(shè)廠，選址城市將會為三星提供部分政策支持。

據(jù)了解，目前全球市場上主流的智能手機芯片廠商有：高通、德州儀器、三星、英偉達等；國產(chǎn)則有MTK，主要應(yīng)用于中低端市場。

“事實上，三星將芯片廠設(shè)在中國，對國內(nèi)企業(yè)來說，未必是件好事。目前三星的閃存芯片約占國內(nèi)30%的市場份額，直接在中國生產(chǎn)產(chǎn)品必然會降低其生產(chǎn)成本，并鞏固其在中國市場的霸主地位，行業(yè)集中度會繼續(xù)加強，這樣的話，國內(nèi)企業(yè)的議價能力也會有所減弱。”顧文君說。

此前，臺積電董事長張忠謀說過，三星是個可怕的公司、可畏的對手。華碩董事長施崇棠也稱，三星擅長“模仿別人，再把對方宰掉。”

    目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造，翻譯成中文就是"閃動的存儲器"，通常把它稱作"快閃存儲器"，簡稱"閃存"。 閃存盤是一種移動存儲產(chǎn)品，可用于存儲任何格式數(shù)據(jù)文件便于隨身攜帶，是個人的“數(shù)據(jù)移動中心”。 閃存盤采用閃存存儲介質(zhì)（Flash Memory）和通用串行總線（USB）接口，具有輕巧精致、使用方便、便于攜帶、容量較大、安全可靠、時尚潮流等特征，是大家理想的便攜存儲工具.
     內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁(Page)(可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個扇區(qū)也為512字節(jié))。每一頁的有效容量是512字節(jié)的倍數(shù)。所謂的有效容量是指用于數(shù)據(jù)存儲的部分，實際上還要加上16字節(jié)的校驗信息，因此我們可以在閃存廠商的技術(shù)資料當中看到“(512+16)Byte”的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND型閃存絕大多數(shù)是(512+16)字節(jié)的頁面容量，2Gb以上容量的NAND型閃存則將頁容量擴大到(2048+64)字節(jié)。
      制造工藝可以影響晶體管的密度，也對一些操作的時間有影響。譬如前面提到的寫穩(wěn)定和讀穩(wěn)定時間，它們在我們的計算當中占去了時間的重要部分，尤其是寫入時。如果能夠降低這些時間，就可以進一步提高性能。90nm的制造工藝能夠改進性能嗎？答案恐怕是否！目前的實際情況是，隨著存儲密度的提高，需要的讀、寫穩(wěn)定時間是呈現(xiàn)上升趨勢的。前面的計算所舉的例子中就體現(xiàn)了這種趨勢，否則4Gb芯片的性能提升更加明顯。 以上資訊由深圳U盤工廠、禮品U盤、正益通電子U盤生產(chǎn)廠家提供